大(dà)家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入岳飞满江红多少字不含标点，岳飞《满江红》多少字加标点从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作岳飞满江红多少字不含标点，岳飞《满江红》多少字加标点。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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