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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》人的正常语速是多少字，正常人的语速一般在每分钟，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在人的正常语速是多少字，正常人的语速一般在每分钟(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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