大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫唯物主义者和唯心主义者什么意思，唯心主义者是啥(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好(唯物主义者和唯心主义者什么意思，唯心主义者是啥hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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