大家好，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查(外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关(g外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏uān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。外国人那方面确实很厉害吗，嫁给外国人会不会撑坏>

　　美(měi)光是美国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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