大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)安定区属于哪个省哪个市的，安定区属于哪里，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē安定区属于哪个省哪个市的，安定区属于哪里0000; line-height: 24px;'>安定区属于哪个省哪个市的，安定区属于哪里)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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