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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海鹅颈藤壶多少钱一斤，鹅颈藤壶和佛手螺一样吗(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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