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10亿人民币在日本算有钱吗,日本10亿等于人民币多少钱

10亿人民币在日本算有钱吗,日本10亿等于人民币多少钱 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发(fā)消息。

  美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

  据网信(xìn)办消息,日(rì)前,网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn),影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施安全,是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对(duì)外(wài)开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全,防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》,网10亿人民币在日本算有钱吗,日本10亿等于人民币多少钱络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng),至少已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势(shì),公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

  有券商(shāng)此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单,设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等(děng)相关(guān)公司份额提升,以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的华海10亿人民币在日本算有钱吗,日本10亿等于人民币多少钱(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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