大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在负荆请罪的历史人物是哪位人，负荆请罪的历史故事中的主要人物是谁全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子负荆请罪的历史人物是哪位人，负荆请罪的历史故事中的主要人物是谁、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产(chǎn负荆请罪的历史人物是哪位人，负荆请罪的历史故事中的主要人物是谁)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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