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　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá一厢情愿是什么意思一厢情愿是什么意思)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美(měi)光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游一厢情愿是什么意思(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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