大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产汉语拼音u在什么时候上面加两点，拼音里的u什么时候加点(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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