大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xi凶猛的意思是什么 凶猛的近义词à)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(凶猛的意思是什么 凶猛的近义词zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较凶猛的意思是什么 凶猛的近义词高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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