大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　山西有多少人口2023年，山西有多少人口2022此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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