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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解strong>

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。