大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审联通如何查询话费余额和流量余额，联通怎么查话费余额和剩余流量查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的联通如何查询话费余额和流量余额，联通怎么查话费余额和剩余流量生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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