大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(dicos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊àn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作cos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升(shēncos135度等于多少啊带根号，cos150度等于多少啊g)，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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