大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎn1兆等于多少mb流量，1G等于多少MBg)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)1兆等于多少mb流量，1G等于多少MB签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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