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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。现实中真的可以把人玩坏吗>

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

现实中真的可以把人玩坏吗　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(b现实中真的可以把人玩坏吗èi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。