大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品乐高课程一年大概多少钱，乐高课一年多少钱多少节乐高课程一年大概多少钱，乐高课一年多少钱多少节问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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