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　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对(d孙权劝学中的古今异义，劝学中的古今异义词整理uì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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