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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显蒋欣现任老公是谁 蒋欣是科班出身吗著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第(dì)三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē蒋欣现任老公是谁 蒋欣是科班出身吗)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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