大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

72小时是几天，72小时是几天几夜　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(niá72小时是几天，72小时是几天几夜n)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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